株式会社アビットテクノロジーズ 半導体

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当社は、2019年2月に活動を開始した、半導体プロセスに画期的なイノベーションをもたらすことを使命とするベンチャー企業です。
自社開発の高密度ラジカル処理装置により堆積SiO2膜中の脱水素処理を行い、高耐圧・高エッチング耐性の低温SiO2膜形成を可能といたしました(特許登録済)。 また本技術を応用して、SiO2/GaNの界面準位密度が~10乗台 /cm2・eV 以下のプラズマCVD-SiO2膜形成を実現しており、高移動度MOS-FETも試作しております。 高い信頼性を担保しつつ、電力損失の大幅な低減やデバイスの長寿命化、また、微細化が進む半導体の歩留まり改善に貢献することができるもので、脱炭素・地球温暖化対応への意識が高まる中、 それらを推進していく上で、強い基盤技術となるものと考えております。
2030年には100兆円産業への成長が期待される半導体業界において、市場の持続的な成長の一躍を担えるよう、今後も研究開発と社会実装を全社一丸となって進めて参ります。
低温処理の受託もお受けしておりますので、ご興味をお持ちいただけましたら、お問い合わせフォームよりお気軽にご連絡くださいますようお願い申し上げます。

  • 脱水素|FTIR
  • 脱水素|WER

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Company

会社名株式会社アビット・テクノロジーズ
設立日2019年2月27日
事業内容独自のプラズマ技術を用いた半導体デバイス低温形成膜のプロセス、装置開発

a低温形成膜(ゲート絶縁膜,層間絶縁膜,電荷保持膜)の脱水素(緻密化)処理受託
b成膜技術の共同開発受託
c装置開発及び販売/レンタル(ライセンス)、コンサルティング

Profile

代表取締役/CTO 中川 清和

略歴
・東京大学工学部物理工学科卒業
東京大学工学系研究科物理工学専門課程博士課程修了(工学博士)
・日立製作所、中央研究所入所
・山梨大学工学部教授に就任(平成12年3月31日付 日立製作所退社) 
山梨大学工学部付属クリスタル科学研究センター センター長に就任
その間
・富山大学地域共同研究センター非常勤講師、東京大学先端科学研究センター客員教授、東京大学大学院工学系研究科非常勤講師 、 日本大学工学部非常勤講師、東京大学先端科学研究センター客員研究員、東京理科大学大学院理学研究科客員教授、 武蔵工業大学(その後東京都市大学)総合研究所客員教授 大学評価・学位授与機構専門委員、応用物理学会講演会担当理事(副委員長、委員長)、 応用物理学会評議委員、山梨県工業技術センター外部評価副委員長1期3年、委員長2期6年
・現 東京都市大学総合研究所客員教授、山梨大学名誉教授
ヘテロ構造を有する4族系半導体の結晶成長、素子作製・評価に力を入れ、世界トップの電子移動度を有する歪みSiチャネル構造、 従来素子の約30倍の正孔移動度を有する歪みGeチャネル電界効果トランジスタを実現。最近の数年間は、 SiCやGaNのワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイス作製のための新プロセス開発を行い、査読付き英語論文150編以上の成果を発表している。

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